一周产业热点
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本周新闻内容如下：
1、 英诺赛科批量采购ASML先进光刻机，用于硅基氮化镓器件
2、 罗姆将车用SiC产能扩大五倍，日厂争霸EV市场
3、 我国在氮化镓界面态研究方面取得重大突破！
4、 北京：加速第三代半导体研发进程！
5、 英唐智控拟收购上海芯石，打通第三代半导体全产业链
6、 一年内完成两轮融资，上海瀚薪力争成为全球碳化硅领军企业！
7、 合肥露笑碳化硅项目最新进展
8、 青铜剑车规级碳化硅功率器件封装线项目奠基
9、 山东国宏中能年产11万片碳化硅衬底片项目启动试生产
10、长治高新区再添三家省级众创空间
11、 第三代半导体专题报告：大势所趋，国内厂商全产业链布局
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产业动态
行业新闻
1、英诺赛科批量采购ASML先进光刻机，用于硅基氮化镓器件
2021年1月21日，中国珠海-英诺赛科科技有限公司（全球领先的硅基氮化镓集成器件制造商）和ASML公司达成批量购买高产能i-line和KrF光刻机的协议，用于制造先进的硅基氮化镓功率器件。ASML生产的XT400、XT860-i-line和KrF经过升级，能够在硅基晶圆上制造氮化镓功率器件。
英诺赛科将在今年第二季度搬入首批光刻机，这是第三代半导体领域首次量产应用先进的ASMLTWINSCAN(双工件台)光刻技术。
2、罗姆将车用SiC产能扩大五倍，日厂争霸EV市场
据日经日前报道，日本各家电子零件厂加快对EV相关零件进行增产投资，其中Rohm计划在今后5年内投资600亿日圆，将使用于EV的SiC功率半导体产能扩增至现行的5倍。
报导指出，Rohm在碳化硅(SiC)功率半导体的研发上居领先，于全球SiC功率半导体市场握有2成市占率，和英飞凌、STM并列为全球主要供应商之一，而其产能扩增至5倍后、全球市占率有望提高至3成。Rohm生产的半导体材料也以经由汽车零件厂的形式、使用于特斯拉的EV逆变器上。
3、我国在氮化镓界面态研究方面取得重大突破！
近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与先导中心工艺平台合作，在GaN界面态研究领域取得了重大突破，在LPCVD-SiNx/GaN界面获得原子级平整界面和国际先进水平的界面态特性，提出了适用于较宽能量范围的界面态U型分布函数，实现了离散能级与界面态的分离。
增强型氮化镓MIS-HEMT是目前尚未成功商用化的技术路线。GaN与介质的界面态问题是制约器件可靠性的主要因素之一。
相关论文连接：
https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0169433220332888
区域产业
1、北京：加速第三代半导体研发进程！
据证券时报报道，北京市副市长、秘书长靳伟20日表示，在补足短板方面，着力攻克重要领域关键的核心技术。
一是推动集成电路产研一体突破。二是开展关键新材料的技术攻关，加速第三代半导体等领域技术和产品的研发过程。三是聚焦通用型的关键零部件，研发突破部分仪器的关键零部件。四是推动高端仪器设备研发实现突破，支持形成一批服务于重大的科技基础设施的定制化的科学仪器和设备。
第三代半导体是北京市发展高精尖产业的重要内容之一，2020年9月，国内首个聚集全产业链的三代半创新基地落地中关村顺义园，围绕光电子、电力电子、微波射频三大应用领域，建设第三代半导体工艺、封装测试、可靠性检测和科技服务4大基础平台。
投融资
1、英唐智控拟收购上海芯石，打通第三代半导体全产业链
1月16日，深圳英唐智控发布公告称，其与上海芯石签订了《认购协议》，交易完成后，英唐智控将将合计持有上海芯石股份689.82万股，占其总股本的40%，为第一大股东。
上海芯石在半导体功率器件芯片尤其是肖特基二极管芯片领域具有十几年的技术储备及行业经验，目前业务产品主要覆盖两大类别：Si类（SBD、FRED、MOSFET、IGBT、ESD等功率芯片产品）、SiC类：（SiC-SBD、SiC-MOSFET）。
英唐智控自2019年起，围绕SiC等第三代半导体器件产品持续开展产业布局。公告称，生产制造方面，正在通过对子公司日本英唐微技术现有硅基器件产品线进行部分改造，使其兼容生产具有高温、高频、抗干扰特性的SiC器件产品能力。在英唐微技术现有生产线第一阶段改造完成后，将拥有完全自主的SiC器件生产能力。
项目动态
重大项目动态
1、合肥露笑碳化硅项目最新进展
所属园区：长丰县第三代功率半导体(碳化硅)产业园
1月20日，露笑科技公告，合肥露笑半导体已购置第一期项目工业用地，相关产权证书正在办理过程中。厂房已于2020年11月底开始动工建设，预计2021年3月底前主体厂房结顶，2021年6月底前一期产线通线点亮，2021年9月底前形成产能。
2020年9月，露笑科技公告称将与将与长丰县政府共同投资建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园，项目包括碳化硅晶体生长、衬底制作、外延生长等的研发生产，项目投资总规模预计100亿元。
项目一期建成达产后，可形成年产24万片导电型碳化硅衬底片和5万片外延片的生产能力；项目总投资100亿元，其中一期投资21亿元，一期固定资产投资16亿元（一期首次投资3.6亿元，其中固定资产投资3亿元）。
2、青铜剑车规级碳化硅功率器件封装线项目奠基
1月18日，青铜剑第三代半导体产业基地奠基仪式在深圳坪山举行。
青铜剑第三代半导体产业基地是深圳市2020年重大项目，预计2022年底完工。该基地将作为青铜剑科技集团总部，同时建设第三代半导体研发中心、车规级碳化硅功率器件封装线和中欧创新中心孵化器等，最终形成国内领先的具备全产业链研发和生产制造能力的第三代半导体产业基地。
据青铜剑集团消息，深圳青铜剑技术有限公司曾成功研发中国首款大功率IGBT驱动ASIC芯片，推出IGBT标准驱动核、即插即用型驱动器、碳化硅驱动器等全系列产品，以及新能源汽车电驱功率模组、光伏风电多并联集成驱动等解决方案。
产品通过UL、ISO9001、IATF16949等认证，广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制、国防军工等多个领域，是中国中车、中船重工、国家电网、阳光电源、金风科技、特变电工等三百多家知名企业的核心零部件供应商，并与英飞凌、富士电机、三菱电机等国际知名企业建立了战略合作关系。
3、山东国宏中能年产11万片碳化硅衬底片项目启动试生产
所属园区：东营市河口经济开发区
1月15日，山东国宏中能科技发展有限公司投资建设的年产11万片碳化硅衬底片项目在东营市河口经济开发区建成并启动试生产。
据了解，山东国宏中能年产11万片碳化硅衬底片项目总投资6.5亿元，总建筑面积3万平方米，该项目是市、区两级重点项目。通过在材料制备技术体系、核心装备研制上的持续科研投入，目前本项目已经具备投产条件。本项目整体两期规划建设完毕并全部投产后，预计平均年营业收入约7亿元，企业年纳税总额约5000万元，新增中高端就业岗位超过200个。
园区新闻
园区动态
1、长治高新区再添三家省级众创空间
所属园区：长治高新区
长治高新区致力于打造国内一流的光伏一体化生产基地和国际一流的第三代半导体紫外LED产业集聚区。2020年山西省省级众创空间认定结果公布，高新区内的积木空间新经济孵化基地、考拉众创空间、双创梦工厂众创空间成功入选。
积木空间新经济孵化基地聚焦互联网、电子信息、新能源材料、文化创业、现代服务业等领域的中小微企业，与高新区区域特点、产业优势和社会发展紧密结合，为种子期到成熟期的创业团队及企业提供全方位、高品质的服务。考拉众创空间为中小微企业，为中小微企业、高新技术企业免费提供办公区域和创业服务等支持。双创梦工厂众创空间，打造集传承与创新、体验与实践、创业与休闲于一体的特色文化园区。
研究报告
行业报告
1、第三代半导体专题报告：大势所趋，国内厂商全产业链布局
报告链接：
https://pan.baidu.com/s/1_XmQ_MmqjyIXAVu8XdLjhA
提取码:6666
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