近日，据天眼查显示，近日长江存储科技有限责任公司公开多项专利，其中一条名称为“晶圆承载装置及晶圆检测设备”，公开号为CN216926626U。

专利摘要显示，本申请实施例公开了一种晶圆承载装置及晶圆检测设备，所述晶圆具有相背设置的两个待检测面，所述晶圆承载装置包括承载组件和固定组件；承载组件具有镂空区域；固定组件设于所述承载组件上，用于将所述晶圆固定于所述承载组件上；其中，所述晶圆固定于所述承载组件上时，所述晶圆在所述镂空区域的正投影至少部分与所述镂空区域重叠，本申请中，通过镂空区域可使晶圆相背的两个待检测面同时外露，简化了晶圆的检测过程，提高了检测效率。

6月17日，长鑫存储技术有限公司也公开过申请的2项专利，包括「半导体结构的制作方法及半导体结构」、「存储芯片的测试方法、装置、设备及存储介质」。

「半导体结构的制作方法及半导体结构」公开号为CN114639638A，专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域。半导体结构的制作方法包括提供基底，基底的表面形成有间隔设置的接触结构；于基底上形成包括交替层叠的支撑层及牺牲层的叠层结构，叠层结构覆盖接触结构；于叠层结构内形成隔离结构，隔离结构沿垂直于基底的方向贯穿牺牲层和部分支撑层，并通过剩余部分支撑层与基底连接，以将基底分为第一区域和第二区域；于第二区域内形成电容结构，电容结构与第二区域内的接触结构对应连接。

「存储芯片的测试方法、装置、设备及存储介质」公开号为CN114639434A，专利摘要显示，本发明提供一种存储芯片的测试方法、装置、设备及介质，涉及半导体技术领域。存储芯片的测试方法包括：在待测存储芯片的存储单元中写入测试数据；从存储单元中读取存储数据；根据测试数据和存储数据，生成待测存储芯片的测试结果。

来源：半导体技术天地