电子技术应用|技术阅读
登录|注册

您现在的位置是:电子技术应用 > 技术阅读 > 日美联手研发2nm芯片

日美联手研发2nm芯片

据《日经亚洲评论》报道称,日本将与美国合作,最早于2025年在日本本土建成2nm芯片制造基地,以便加入下一代芯片技术的商用化竞争。该报道提到,日美两国政府将根据双边芯片技术合作伙伴关系提供支持,两国民间企业将在设计和量产方面进行研究。



此前英特尔的芯片一直都是自研自产的,但是在进入到7nm时代之后,技术方向的不同,导致其严重落后于全球水平,后续只能把先进芯片的代工交给了台积电。


台积电在芯片先进制程上处于全球领先地位,计划2025年量产2nm工艺,但该公司通常不会把最先进的工厂建在台岛以外。过去两年,台积电相继宣布在美国和日本建设芯片工厂,其中美国工厂计划在2024年量产5nm,日本工厂计划在2024年量产10nm至20nm芯片。



此外,美国的IBM在去年也率先推出了2nm的样片。日本希望通过与美国合作,实现下一尖端芯片的本土生产来寻求稳定的半导体供应。


据悉,在两国政府的多项双边机制推动下,日本和美国的私营企业可能会组建合资公司,此外日本的本土半导体产业也可能设立一个新的制造业中心,这部分的研发和资本支出也能获得日本经济产业省真金白银的补贴。

来源:半导体技术天地

投稿/推广/广告/入群/赞助/转发 咨询ictest1