日常生活中，随处可见芯片的身影，但是，大家是否有想过，这样一枚小而精的芯片，究竟背后是何等鬼斧神工的技艺。因此，芯片生产的高精尖可见一斑。但是，芯片最难的是生产吗？并不是。

在芯片面世的整个过程中，最困难的地方在于芯片的基础，或者说是芯片的图纸，那就是芯片脚骨芯片架构要是发挥得好，确实可以看到别样的风景。中科院就是这样，用RISC-V架构，突破了卡脖子技术，还让中芯国际14纳米的工艺直接展现出翻倍的效果。

不得不说，发展RISC-V这条路是走对了，那么，将会给我国带来怎样的影响呢？在未来的日子里，中芯国际能否扛起中国芯的大旗呢？

目前，我国要想研发芯片的话，在芯片架构上，我国很多企业，比如华为就选择了ARM架构，但是，做一个大胆的假设，要是ARM宣布完全断绝和我国企业，比如华为的完全来往，那么会有什么后果，华为的麒麟将永远无法出货，华为芯片的自研，将会举步维艰。

还有一个架构是X86，但是这个架构被英特尔和ARM掌控着，虽然也有我国企业使用，比如我国的海光禅定CPU，用的就是X86。但是，英特尔是美国的，ARM是英国的，英美国家的变数还是很大的。

因此，我国就剩下了开源的RISC-V这一个选择，今年2月15日，值此虎年元宵佳节之际，香山项目的主要负责人包云岗教授公开宣布香山芯片调试目标达成，我国正式突破卡脖子技术。

目前，香山处理器主要有两个版本，一个是采用台积电28纳米制程工艺的“雁栖湖”，然后第二个版本在今年4月12日也有消息流出，第二代取名叫做南湖，采用中芯国际14纳米工艺打造。

这枚第二代香山处理器南湖，和第一代相比，SPEC CPU2006的跑分成绩大概在20左右，相比第一代的雁栖湖，直接翻倍，在性能方面，如果按照第一代7/GHz来看的话，第二代就有10/GHz，在性能方面直接就提升了42%，性能的强劲可见一斑，同时也证明了在这个RISC-V架构之下，中芯国际的性能直接就翻了一倍。

不得不说，我国选择RISC-V，确实是一个明智的选择，那么，选择走这条路，究竟会让我国迎来怎样的柳暗花明呢？

目前，我国在RISC-V领域，也做出了不少的成就，去年10月19日，在2021云栖大会上，阿里巴巴宣布开源基于这个架构的玄铁处理器。在去年12月17日，在首届滴水湖中国RISC-V产业论坛上，芯昇科技推出了中国移动首款RISC-V低功耗大容量MCU芯片CM32M43xR 系列。

我国目前有越来越多的企业加入到RISC-V大阵营中，未必就不能助力我国打破X86、ARM的垄断，未必就不能帮助我国减轻卡脖子的风险，未必就不能促进各类中国芯的进步。

另外，如今在RISC-V领域，也有越来越多的企业加入，今年2月8日，英特尔加入了RISC-V基金会，随后，在3月28日，根据相关外媒报道，AMD正在招聘架构工程师，准备开始布局RISC-V赛道。

从中我们可以看出，在未来的日子里，RISC-V无疑会成为未来全球芯片架构的主要发展方向，毕竟就连手握X86架构的英特尔都加入了。因此，我国如今这样提前入局RISC-V，可以保证我国在未来这条赛道上激烈竞争之下，依旧能够保持自身的竞争力，让卡脖子，彻底成为尘封的历史。

香山系列第二代处理器核心南湖的出现，对于中芯国际也有很大的好处，毕竟也能证明中芯国际14纳米芯片制程实力的提升和强劲，那么，在未来的日子里，中芯国际是否有希望能扛起国产芯片的大旗吗？

中芯国际能否扛起国产芯片的大旗？

中芯国际其实还是有希望能扛起国产大旗的，芯片属于高端科技，中芯国际如今在梁孟松博士的助力下，不仅实现了从28纳米到14纳米的大跨越，更是在如今，还实现了芯片性能的增强。

然后在今年3月30日，中芯国际发布了去年的财报，在去年的财报中，中芯国际实现了17.02亿美元的净利润，同比增长了137.8%，从中可以看出，中芯国际的资金实力还是很雄厚的，有技术，有资金，未来中芯国际其实也未必无法扛起中国芯的大旗。

今年2月11日，中芯国际联合CEO赵海军在当天的业绩说明会上表示，“2022年初，山海临港项目已破土动工，北京和深圳两个项目稳步推进，预计将在2022年底投入生产。中芯国际2021年新增月产能10万片折合8英寸，2022年计划产能增量将多于2021年，三个项目满产后，将使公司产能倍增。”

从中我们可以看出，中芯国际正在增加自己的产能，背后应该也是中芯国际芯片的庞大消费市场需求，背后，也是消费市场对中芯国际芯片的认可，如今，中芯国际的14纳米芯片制程又让南湖性能倍增，足以证明中芯国际本身半导体实力的强劲，中芯国际未来未必就不能扛起国产芯片的大旗。

总结

中科院突破卡脖子技术，实现了RISC-V芯片香山系列，如今，第二代处理器核心南湖强势出场，中芯国际14纳米芯片制程直接性能翻倍，希望未来，我国能够坚定不移地在RISC-V架构上走下去，同时也希望，中芯国际能够再接再厉，再创新功。

来源：半导体设备资讯站

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