离子研磨仪目前是普遍使用的制样工具，可以进行不同角度的剖面切削以及表面的抛光和清洁处理，以制备出适合半导体故障分析的 SEM 用样品。
离子研磨仪
TECHNOORG LINDA
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扫描电镜
Phenom SEM
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01
离子研磨仪的基本原理
晶片失效分析思路和方法
案例分享 1
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优先判断失效的位置
2
锁定失效分析位置后，决定进行离子研磨仪进行切割
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离子研磨仪中进行切割
4
切割后的样品，放大观察
5
放大后发现故障位置左右不对称
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进一步放大后，发现故障位置挤压变形，开裂，是造成失效的主要原因
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变形开裂位置
放大倍数：20,000x
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变形开裂位置
放大倍数：40,000x
IC封装测试失效分析
案例分享 2
1
对失效位置进行切割
2
离子研磨仪中进行切割
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位置1. 放大后发现此处未连接。放大倍数：30,000x
4
位置2. 放大后发现此处开裂。放大倍数：50,000x
PCB/PCBA失效分析
案例分享 3
离子研磨仪
SC-2100
适用于离子束剖面切削、表面抛光
可预设不同切削角度制备横截面样品
可用于样品抛光或最终阶段的细抛和清洁
超高能量离子枪用于快速抛光
低能量离子枪适用后处理的表面无损细抛和清洁
操作简单，嵌入式计算机系统，全自动设定操作
冷却系统标准化，应用于多种类样本
高分辨率彩色相机实现实时监控抛光过程
TECNOORG LINDA
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