Q1
QFN封装出货，客户要求测试前100% reflow是否合理的，或者普遍这么要求？还是我们对他的要求理解的不对，他这是对回流焊加工时的要求？
A1
一般工厂有这个服务的，在PMC之前可以增加100%reflow的动作，主要是LGA类产品在PMC之后进行一次reflow，提前激发元器件底下串锡、delam等异常；QFN做这个的话，reflow参数还要看下，可能产生锡鼓这些问题。
Q2
这个表格中第一栏，是HTOL停止的时间还是已完成的时间？
A2
回测的时间。
Q3
WLCSP因为都是研磨切割前测试的，那么之后process引入而AOI检测不到的不良比例？这个需要工厂的大数据才行。
A3
一般是6S检查 AOI设备，高精度的CCD相机探测，另外有些Fab用IR显微镜进行检查，从芯片背面检查有无chipping，隐裂。
Q4
有资源可以测量IC厚度吗？tolerance要求在±0.15um内
A4
这个机台可以满足。
Q5
现在遇到两种情况，
1.阈值电压增加，Rdson增加，应该是门极沟道电阻增加了。但是我不知道用什么手段分析沟道电阻增加的原因
2.芯片阈值电压降低，伴随DS漏电流和耐压失效
A5
建议先和Foundry 统计一下 WAT 的测量数据，看看有没有什么异常，分析WAT和MP数据分布，看看是否是工艺偏差。
Q6
测热阻只有热仿真这一种方式吗？有没有推荐哪家能测这个的？
A6
热阻可以直接测，AQG324有热阻测试方法介绍。原理就是小电流下，元器件压降和RT成线性关系。
第一步，先小电流和不同室温标定线性K系数。
第二步，给大电流加热芯片，然后撤去大电流，给小电流测试压降，发转换成Tvjmax，降温稳定后，再转换成Tvjmin，输入功率已知，就能得到Rth了
Q7
AECQ的HTOL测试，是按grade等级安排老化对应的环境温度（等于grade温度），还是按结温来安排老化环境温度（比如调整Tj到125）。好像2种说法都有看到过。
A7
AECQ的HTOL测试是按照环境温度做的，不是按照结温。
Q8
如果按照Grade等级直接换成老化环境温度，对于grade3，grade2要求就比较低了。1000h怎么保证相应的长寿命？
A8
一般都是根据所需等级来倒推所需实验Tj。另一方面，客户端更关心的也是Tj，同样的芯片，同样的环境温度用不同的模组散热方案，Tj可能非常大，而正真影响lifetime的恰恰是Tj。
Q9
芯片的烘烤有没有jedec的标准？
A9
有。请参考J-STD-33。
Q10
上图是某款芯片的t-scan图，请教下各位，类似红圈所示中是什么情况啊？
A10
可能是气泡没有清理干净。
Q11
帮忙看下DFN封装产品测试Vdd,呈高阻态。decap表面看焊球形貌正常，pad看起来也被腐蚀了，但是分析机构判定线没有全脱，但是翘起来了。这种情况一般会是什么原因造成？如何确认？
A11
建议送季丰做详细分析。可以先研磨到焊球足够薄，然后做FIB看是否有线索，可以进一步做成份分析，但单颗失效样品做分析的时候最好选择相对保守的方案。
Q12
Need uS resolution to measure startup timing measure using digital I/O and DC这个用ATE咋测么？
A12
只需要A1 达到你需要的值.也就start up 了.这时候pattern 用多少时间可以读取，我测的是射频芯片.Y 轴是功率.你们Y 轴需要参考你们的产品，如果是MCU产品，ATE有TMU 的单元，直接设定量测时间比pattern准确很多。
Q13
接以上问题，TMU或者pattern的方式应该都是利用PE芯片里面的comparator么？
A13
对的，触发也是VOL，VOH2个电平，只是时间的参考元和存储的方式不一样，TMU以触发条件记录，时间可以比较长，一般有24bit的计数器，如果使用pattern抓取，在抓取的开窗周期没有发生上升，可能会错过，另外，使用pattern 抓取一段波形，中间的时间需要编程进行分析才能转换出来。
Q14
datasheet变更，大家都会发PCN通知客户吗？还是就是官网放一下最新版本就算了？如果改了ac parameters下限，这种要通知吗？还是自己判断对客户没影响就不用通知了？
A14
只要datasheet变更，都需要通知客户。
来源：上海季丰电子