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我们为什么需要APT技术

20世纪90年代以来,原子探针断层成像APT技术在显微技术中已经达到了公认的地位。APT能够绘制出不同元素原子的三维空间分布此外,凭借化学敏感性以及接近原子尺度的空间分辨率,提供了关于纳米结构的独特信息属于极少数能够在原子尺度上研究物质的表征技术。

这也解释了为什么这种仪器进入越来越多的研究领域。APT最初专门用于冶金,如今在微电子和纳米电子学中有大量的应用,现在也应用于生物学、软物质和地球科学等其他领域。

1 APT在材料科学中的作用

在原子尺度上对材料进行三维成像不仅是一个梦想,也是一个挑战。这对处理相变或溶质原子偏析到晶格缺陷的基础研究至关重要。

终极尺度的微观结构表征对于具有关键工业材料来说,也是非常重要的,因为它能够更好地控制微观结构的产生和发展,优化加工路线和性能。材料的功能和机械性能不仅取决于微米尺度的特征,如晶粒大小、沉淀物,也取决于纳米尺度的特征,如溶质原子团簇、化学梯度、纳米沉淀物和结构缺陷上的偏析

FE-SEM具有1nm的分辨率,但是基于X射线发射的分析能力仍然有限,主要原因是电子在物质中的散射,导致信号的扩展范围1um(>5KV)。在样品厚度通常<100 nmTEMSTEM中,这种限制很容易克服。

TEM的空间分辨率限制主要来自像差。在过去的10多年中,球差校正器应用将TEM的常规分析能力达到了原子尺度。然而,在常规实验中,基于EELSEDS的分析型TEM化学敏感性通常被限制在约一个原子百分比的范围内

此外,TEM的二维投影的数据和图像,部分3D信息会丢失。TEM的电子层析成像技术可以获得3D图像和结构信息,但几乎没有接近原子尺度的分辨率。二次离子质谱SIMS克服了TEM技术化学灵敏度的不足,但代价是空间分辨率通限制在约50nm

在显微镜分析领域,APT展示了独特的能力:结合了3D信息、近原子分辨率(深度0.1nm,横向< 1nm)和超高化学灵敏度,在最好的情况下,原子的化学灵敏度低至百万分之几。典型的分析体积为50x50x200nm

但与TEM相比,APT缺少多功能化。首先,这是一种破坏性的技术,不能在同一样品上重复测量,也很难将化学信息与结构联系起来。此外,感兴趣区域的视野更加有限。但APT在近原子尺度上研究材料三维结构的独特能力,包括半导体和氧化物,已经在学术界和工业界形成了不断增长的趋势。

2 APT的早期发展

场离子显微镜(FIM),由E.W.Muller20世纪50年代初发明、可被看作是现代APT的先驱,两者都是基于高电场。由于FIM具有原子级的分辨率,它在表面科学和物理冶金方面做出了重大贡献。早已经被用于晶体缺陷成像,如晶界(GBs)或空位。相位对比也使其可以定性地研究沉淀、空隙、辐照缺陷、偏析、表面扩散或金属合金中的反应

左图:PtAu合金表面的FIM图像。每个点都是单个原子的图像。晶体原子平面与样品半球形表面的相交产生了特定的环对比度。右图:通过APT分析钢中的3D结构,显示碳偏析至晶界(两个)和纳米级碳化物[Fe-绿色;C-红色;视野:45×45×120nm].

20世纪70年代,原子探针的早期应用主要限于导体,例如金属合金、金属玻璃、钢材、镍基超级合金以及铝合金,都是第一批被研究的材料。也是第一次有可能揭示纳米尺度的成分波动,并对沉淀的早期阶段有所了解。

20世纪80年代末和90年代初,在仪器上配置了位置敏感探测器,实现了技术上的突破,这一创新赋予了该仪器新的内涵。由E.W. Mulle的一维(1D)原子探针,仅给出1D成分剖面,变成了三维原子探针,可以对纳米级成分波动进行3D成像,并揭示纳米级簇或缺陷(如溶质偏析)的形状、分布和形态21世纪初,APT技术开始在材料科学实验室广泛推广,成为TEM的补充工具。

第二个重要的突破是用超快的激光脉冲取代电脉冲。这为APT开辟了测量导电性差的材料领域,如半导体、功能材料、氧化物、陶瓷,甚至一些聚合物以及生物材料。这种创新使APT成为纳米科学和微电子学的一种独特技术(纳米线、用于自旋电子的磁性多层,包括含有高电阻氧化层的隧道结)。这一演变是由于FIB技术的平行发展而实现的。

3 APTTEMFIB技术的结合

在样品制备阶段,APT通常与SEM-FIB技术结合使用,主要优势之一是SEM-FIB的成像与加工能力,可用于特定感兴趣区域的样品制备。例如,可以使用电子背散射衍射EBSD来选择特定的晶界GBs,并将偏析(将由APT揭示)与取向相关联。

在过去的10年中,已提出TEMAPT结合来表征材料,这有两个截然不同的优势:

(1)使用TEM成像能力来理解或校正APT 3D体积重建伪影(如果有的话)(2)使用TEM可以获得晶体结构、缺陷和取向关系的精确图像,并且易于获得片状缺陷周围溶质元素的空间分布的三维信息(可以考虑两种选择);(3)在分析之前,可以在TEM中观察APT样品,以便识别和表征缺陷,但这需要特殊的样品支架,并且厚度不均匀的针状样品不适合用于分析TEM

因此,在分析扩展特征(如晶界GBs)的情况下,最简单和最佳的程序可能是用FIB在靠近的位置沿感兴趣区域准备一个APT样品和一个TEM样品。对于密度较高的物体,如纳米级沉淀物,可随机制备的TEMAPT样品进行分析,并在统计的基础上进行比较。

参考资料

1.Mueller EW. The fifield ion microscope. Zeit F Phys 1951;131:136e42.

2. Muller EW, Panitz J, Mc Lane SB. The atom probe fifield ion microscope. Rev Sci Instrum 1968;39:83e8.

3.DOI10.1063/1.2709758

来源于老千和他的朋友们,作者孙千

赵工

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