Q1
请教大家关于LU实验，Q part class2 目前看到很多报告都是3ea高温，3ea常温进行的，这个业界有啥说法嘛？
A1
高温情况最恶劣，只需做高温就好了，3颗电压激励，3颗电流激励；电压激励电流激励是会在同一颗上打的。
Q2
请教一下，WLCSP 2P2M的如果PI1和PI2之间怀疑有分层，SAT能扫出来吗？
A2
理论上应该没问题，可以先用Tmode试一下。如果不是面积太小或delam太轻微（比如Z方向上delam甚至小于0.1um）就应该可以。问题是如果怀疑有问题，那么无论SAT是否扫出来都需要做xsection验证，这个可能会有难度。
Q3
请教一下，对于单颗的IC器件在做可靠性的时候会做PCT，而amkor和SPIL的那边的官网上看，他们不做PCT的，做UHAST。这分别有什么考量， PCT相对UHAST是不是对wlcsp产品的破坏性要比UHAST要强？
A3
PCT 是100%湿度，在日常生活中不常见，且应力比uHAST强，所以现在很多公司都不采用PCT转而用uHAST。
Q4
这个是终端客户上板做高温老化发现塑封体破了个洞，decap后芯片没有烧点，有没有哪位遇到过类似的案例啊？
A4
没有烧点基本就是水汽了；如果不是批量问题，可能是打开包装在空气中放久了直接进高温烘箱测试了，可以低温烘干一下再测试。
Q5
塑封料一般回温后的有效使用期多久？
A5
各类型塑封料不一样，有24小时的，有三天的，具体要看塑封料供方出具的说明书，一般不能超过三天。
Q6
如果不良品和库存良品，都做了不开盖热点分析，都发现了热点。结果也无法作证是否异常，接下来还可以有什么方案来剖析比较好？都出现热点可以表征什么吗？
A6
首先确认好品是不是真的好品，因为热点分析反映在产品是某个面，产品由好多材料结构组成，同一个点材料差异，异常导致都有可能，接下来需要对比开盖了，好品和异常品开盖后不同结构的差异，包括性能差异，这时基本会用到探针测试，当然还有一种比较坏的情况，好品并不一定是好的，这时可以做worse condition 验证。
Q7
请问InGaAs做的热点真实性会受到哪些因素影响？为什么去金属层更准？或者更容易找到？
A7
金属层过多，会对异常点的亮点有遮挡，所以有时会建议做背面热点；InGaAs归根结底就两句话，一是Metal层不透红外，二是MOS管工作在截止区就会发光。
Q8
ESD前测试都OK ,打完就有管脚失效，现在开盖是crack的，这种crack可能是ESD造成的吗，还是其它什么原因？
A8
ESD能量较小，能引起局部瞬间高温，但一般不会导致整个芯片断裂，如果只有一颗发生，有可能是本身存在microcrack。可以再多测几颗试试。还有可以观察ESD damage-fuse的程度，看是否足以引起crack. 如果在ESD测试之后又进行ATE测试，这个过程也有可能加剧damage，甚至crack; 这种看起来像是应力释放或机械应力导致的crack或是peeling，比如划片带来的stress。
Q9
什么产品需要做LTOL？
A9
LTOL：(Low temperature operation life test）：低温寿命试验，需要上电，基本与HTOL一样，只是炉温是低温，一般用来寻找热载流子引起的失效，或用来试验存储器件或亚微米尺寸的器件。相关标准：JESD22-A108B：Temperature, Bias, and Operating Life；JESD47K：Stress-Test-Driven Qualification of Integrated Circuits
来源：季丰电子
赵工
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