(一)半导体行业涨跌幅基本情况
图1 上周全球主要半导体指数涨跌幅
资料来源:华信研究院整理
上周,费城半导体指数上涨3.51%,高于纳斯达克综合指数0.15个百分点;台湾半导体指数下降1.08%,低于台湾资讯科技指数1.47个百分点。中国半导体发展指数下降0.33%,低于A股指数0.55个百分点。上周我国半导体上市公司中,有30家公司上涨,35家公司下跌。其中,涨幅最大的公司是深科技(+9.00%)。
从指数走势看,上周中国半导体发展指数有所下跌,在全球主要半导体指数中表现一般。随着Chat GPT训练量大幅提升,算力资源成为科技竞赛战略性资源,存储芯片在AI带动数据中心需求及Chat GPT智能化应用催化下,行业供需关系逐渐改善。
存储行业供需关系逐渐改善,AI服务器拉动存储需求提升。依据Trend Force相关数据,服务器和智能手机是DRAM主要的两大应用领域,2022年智能手机和服务器占比分别为38.5%/34.9%,预计2023年服务器将超越智能手机成为DRAM第一大应用领域。依据Yole数据,2022年NAND下游应用前三大领域为服务器/PC/手持设备(智能手机),占比分别为30%/26%/24%。目前,Chat GPT的快速发展和消费终端的陆续复苏有望带动存储产业价格逐步企稳。美光相关数据表示一台人工智能服务器DRAM使用量是普通服务器的8倍,NAND是普通服务器的3倍,最新一代服务器处理器——AMD的Genoa和英特尔的Sapphire Rapids则需要使用D5 DRAM。随着多数供应商减少资本开支,减少新增产能,2023年存储行业的供需关系将逐步改善。
我们认为,随着汽车智能化、5G基站、人工智能等新兴应用持续涌现,对存储芯片的功耗、安全性、传输速率、体积和成本会有更高要求,将为存储芯片市场提供重要驱动力,在Chat GPT催生AI新需求下,存储芯片领域厂商或将直接受益。
(二)分领域涨跌幅情况
图2 分领域涨跌幅情况
资料来源:华信研究院整理
分领域来看,上周中国半导体指数中设计、封测和分立器件行业有所下降,制造、装备和材料行业实现上涨。其中,设计行业指数下降了1.17%,封测行业指数下降了1.87%,制造行业指数上涨了2.47%,装备行业指数上涨了3.91%,材料行业指数上涨了2.39%,分立器件行业指数下降了0.73%。
制造领域:成熟制程国产化进程持续推进。上周,商务部部长王文涛会见荷兰ASML全球总裁温宁克。王文涛强调,中国坚定不移推进高水平开放,愿为包括ASML在内的跨国公司来华发展创造良好营商环境,并提供高效服务。希望ASML坚定对华贸易投资合作信心,为中荷经贸合作作出积极贡献,并共同维护全球半导体产业链供应链稳定。双方还就ASML在华发展等议题进行了交流。我们认为,此次我国与ASML的进一步合作有望推进半导体晶圆厂资本开支,打消市场对国内成熟制程扩产受阻的疑虑,成熟制程国产化进程有望持续推进。
材料行业:二维材料成功集成到硅微芯片内,有望用于高级数据存储和计算。3月27日,沙特阿卜杜拉国王科技大学科学家在《自然》杂志上发表论文指出,他们成功将二维材料集成在硅微芯片上,并实现了优异的集成密度、电子性能和良品率。研究人员表示,研制出的器件宽度仅260纳米,能用于高级数据存储和计算。未来大多数微芯片将会利用这些二维材料优异的电子和热属性,使制备出功耗极低的人工神经网络成为可能。此外,最新研究有望帮助微芯片制造商和人工智能公司开发新硬件,以减少数据处理时间并降低能耗。
封测领域:行业面临产业链外迁及受限制风险,但大陆封测企业仍将在全球产业链中扮演重要角色。当地时间3月27日,美国总统拜登签署总统令,授权使用DFA(Defense Production Act)来支持国内的PCB和先进封装制造业。当前,中国大陆的传统封装产能已在全球具有较高的份额,同时也具备了规模优势。但行业仍面临产业链外迁及先进封装技术受限制风险,特别是涉及到3D堆叠等类型,与晶圆制造关联度较高的技术,可能面临受限制的问题。但总的来看,我们判断未来中国大陆封测企业仍然将在全球产业链中扮演重要的角色。
设备领域:半导体设备出口限制加码,行业国产化持续加速。3月31日,日本政府宣布拟计划增加对23种型号半导体设备的出口限制,相关政策将于4月29日前完成公众意见征询,并在7月正式实施。我们认为日本此次政策的出台主要是为跟随美国出口限制,对国内成熟制程产能影响不大,符合市场预期,我国半导体设备国产化有望进一步加速。
(三)上周涨跌幅排行榜情况
图3 上周涨幅前五名公司
资料来源:华信研究院整理
图4 上周跌幅前三名公司
资料来源:华信研究院整理
上周,中国半导体发展指数有30家公司上涨,35家公司下跌。其中涨幅前五名公司分别是深科技(+9.00%)、景嘉微(+7.92%)、长川科技(+7.59%)、中环股份(+7.33%)、国民技术(+6.28%);跌幅前两名公司分别是通富微电(-10.45%)、江丰电子(-8.10%)、中兴通讯(-8.00%)。
深科技上周指数表现较好,上涨9.00%。作为目前国内唯一具有从集成电路高端晶元封装测试,到模组成品生产完整产业链的企业,深科技在保持电子产品制造业务竞争优势的基础上,重点发展集成电路半导体封装和测试业务。在集成电路半导体封装测试领域,公司是集成电路零件封装和测试服务制造商,尤其在存储器方面具备世界最新一代的产品封测技术。在动力电池领域,公司与全球知名的汽车动力电池系统企业建立合作关系,目前已有数款产品进入试产阶段,未来有望在新能源汽车电子方面通过发挥产业链优势,共同做大做强新能源汽车业务。
中兴通讯上周指数有所下降,降幅为8.00%。公司是全球稀缺的5G端到端设备解决方案提供商,产品覆盖无线、有线、云计算、终端产品和专业通信服务,业务覆盖160多个国家和地区。近年来,数字经济快速发展拉动ICT设备需求,公司各细分领域均占据市场较高地位。分领域看:运营商资本开支向云网侧倾斜,公司新布局司服务器等产品受益份额提升;我国分布式存储总规模快速成长,公司Golden DB产品已在金融行业排名第一;5G建设中后期行业应用成为重点,公司智慧港口、智能制造等多个项目已成为行业标杆;后疫情时代,全球FWA市场需求回暖,公司FWA及MBB产品市占率已达第一。
二、行业动态(一)盛美上海首次获得Ultra C SiC碳化硅衬底清洗设备的采购订单
3月28日,盛美上海宣布首次获得Ultra C SiC碳化硅衬底清洗设备的采购订单。该平台还可配置盛美上海自主研发的空间交变相位移(SAPS)清洗技术,在不损伤器件的前提下实现更全面的清洗。该订单来自中国领先的碳化硅衬底制造商,预计将在2023年第三季度末发货。
当前,以碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)为主的第三代半导体发展迅猛,盛美上海的Ultra C SiC碳化硅衬底清洗设备使用SC1(氨水/双氧水混合药液)、SC2(盐酸/双氧水混合药液)、DHF(稀氢氟酸)及其他化学进行清洗工艺,并可选配公司自主研发的Smart Megasonix技术进一步优化清洗效果。该设备兼容6英寸和8英寸,每小时可达70多片晶圆的产能,而且已进行了升级优化,可避免薄且易碎的碳化硅衬底的碎片。
盛美上海表示,这份订单表明了盛美上海在先进半导体晶圆制造设备方面的经验,也可用于满足碳化硅衬底制造的独特要求。
(二)华天科技:投资28.58亿建设“高密度高可靠性先进封测研发及产业化”项目
3月26日,华天科技发布公告称,公司全资子公司华天科技(江苏)有限公司(以下简称“华天江苏”)投资28.58亿元进行“高密度高可靠性先进封测研发及产业化”项目的建设。项目建成投产后将形成Bumping 84万片、WLCSP 48万片、超高密度扇出UHDFO 2.6万片的晶圆级集成电路年封测能力。
跟据国内外市场需求情况和国际封装技术发展趋势,该项目主要定位于市场需求量大、应用前景好的凸点封装、晶圆级封装、超高密度扇出封装,项目产品主要为Bumping、WLCSP、UHDFO等,应用于5G、物联网、智能手机、平板电脑、可穿戴设备、医疗电子、安防监控以及汽车电子等战略性新兴领域。
华天科技表示,华天江苏为公司根据战略规划和经营发展需要,在南京市浦口区设立晶圆级先进封装测试产业基地,由华天江苏承担建设“高密度高可靠性先进封测研发及产业化”项目。项目的实施能够提高公司晶圆级先进封装测试技术水平和生产能力,增强公司核心竞争力,从而进一步提升公司的整体竞争能力和盈利能力,实现公司持续稳定发展。
(三)力旺电子通过联华电子22纳米RRAM可靠度验证
3月28日,硅智财供货商力旺电子与晶圆制造厂商联华电子共同宣布,力旺的可变电阻式存储器(RRAM)硅智财已通过联电22纳米超低功耗的可靠度验证,为联电的AIoT与行动通讯应用平台提供更多元的嵌入式内存解决方案,未来双方也将持续合作开发车用规格的RRAM。
力旺电子提供的8Mb RRAM IP具有额外的16Kb信息储存区块和内部修复与错误侦测/修正等关键功能,可用于IoT设备中的微控制器和智能电源管理IC的编码储存,可支持人工智能之内存内运算架构。联电提供22纳米的0.8V/2.5V RRAM平台,使用较少的光罩层数、较短的生产周期和更容易与BCD、高压等特殊制程整合的优势。
对40纳米、22纳米和高阶制程而言,RRAM是不可或缺的多次编程嵌入式内存选项。力旺电子的RRAM IP具有一万次覆写能力和长达10年的数据保留,并可承受高达105度的高温。这款RRAM IP设计具备友善的接口、完整的用户模式和测试模式,并可在0.8V/2.5V标称双电压接口下进行编程。与分离闸闪存(split-gate Flash)相比,RRAM具有相对简单的结构、使用较少层的光罩、较友善的制程和更高的CMOS制程兼容性。在对性能要求相对严格的汽车应用中,RRAM与MRAM相比,具有更佳的抗磁能力。
来源于集成电路产业研究,作者
赵工
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zhaojh@kw.beijing.gov.cn
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