一、概述
在封装工艺中在装架工艺前要进行扩晶，扩晶质量的好坏直接会影响手工装架的质量，进而影响良品合格率。
二、目的
为方便手动装架工艺的操作，需将芯片进行一些额外的准备工作，使芯片与芯片之间的距离扩大，这便成为扩晶。
扩晶也成为绷片，利用白膜或蓝膜在扩晶产生的张力带动芯片运动，将芯片的距离变大，适合芯片操作。
图一：扩晶前的芯片 图二：扩晶前的芯片
扩晶工艺一般体现在手动封装过程中，在自动设备封装工艺过程中，自动固晶机识别度比较高，基本可以不进行这一操作。
三、扩晶设备
图四： 手动扩晶机
四、扩晶工艺过程
手动扩晶需要气路，气压一般在0.6MPa左右，一般还需要温度进行辅助。工作温度大概在55℃左右。提前准备物料，包括待扩晶的晶圆、扩晶环。待扩晶机温度达到工作温度后，打开扩晶压圈，将内环放在平台上，在离子风机前将芯片与蓝膜分离，将撕开的蓝膜的芯片朝上放置，放下压圈。慢慢按“上升”按钮，将芯片扩至所需间隔，再套上外扩晶环后按“下压”按钮，等内外环完全吻合后松开，取下芯片，按“下降”按钮，松开压圈，取出多余蓝膜即可。
五、注意事项
（1）做好静电防护工作。
（2）扩晶的芯片不宜过大，面积太大对边缘芯片会产生损耗。
（3）芯片扩晶距离要求，扩晶前芯片距离为：200-250um,扩晶后芯片距离为：800-1000um,通常扩晶后的芯片与芯片之间的距离d是芯片大小的0.5-2.5倍。
（4）放置内扩晶环需将光滑的边朝上。
（5）芯片保护膜与芯片分离过程中，动作需缓慢，为方便离子风机更好的消除静电。
（6）注意安全操作：加热平台温度较高，需注意防止烫伤。
来源于集成电路与微系统封装，作者
赵工
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